Нобелевский лауреат 2000 года по физике Жорес Иванович Алферов родился в 1930 году в Витебске. Свое детство и юность он провел в БССР, его родители – коренные белорусы. Именно поэтому несмотря на то, что большую часть жизни он прожил в России, его считают в том числе белорусским ученым. Престижнейшей наградой Жорес Иванович удостоен за открытие гетероструктурных полупроводников, которые сегодня используются в современных компьютерах. Прочие наработки ученого использовались при разработке солнечных элементов для космических батарей, создании эффективного оптоволоконного кабеля, лазера компакт дисков, считывающих устройств, функционирующих на основе метода декодирования, и многих иных приспособлений и устройств. Несмотря на проживание в России ученый помнит о своих корнях родной земле, постоянно навещает Витебщину и иные места.

Обыкновенная советская семья, которая придерживалась политизированных взглядов, нарекла младшего сына именем в честь Жана Жореса – председателя социалистической партии Франции в то время. Совсем не типичное имя вовсе не мешало мальчику отлично учиться в средней школе. В это время несмотря на первостепенные сложности, связанные с изучением физики, наступает заинтересованность Алферова в точной науке. Благодаря дополнительным занятиям с учителем, а также самостоятельно полученным знаниям, в возрасте 10 лет юный исследователь создает детекторный приемник – свое первое изобретение. По окончании школы Алферов поступает в местный политехнический институт, но в результате перевода родителей в Ленинград переводится на второй курс в местном электромеханическом институте. После окончания этого учебного заведения он поступил в престижнейший ВУЗ того времени – Физико-технический институт, руководителем которого являлся академик Абрам Иоффе. Примечательно, что успешно завершив обучение и оставшись в лаборатории работать, Алферов фактически жил в ней. Вероятной причиной является ранняя женитьба и развод, поскольку квартира была оставлена бывшей жене и родившейся дочери.

Что касается непосредственной научной деятельности, то она осуществлялась как в период обучения в физико-техническом институте, так и после его окончания. Так, при участии будущего известного ученого были созданы первые советские транзисторы и силовые германиевые приборы. С 1959 года Жорес Иванович занимается изучением полупроводниковых гетероструктур. Тогда же защитил кандидатскую диссертацию на эту же тематику. Считается, что своим стремлением постичь прогрессивный в то время пласт физики, он сильно выделялся среди остальных ученых. Свою первую награду Алферов получил в 1963 году. В 1979 году защитил докторскую диссертацию, которая легла в основу исследования в области гетеропереходов в полупроводниках. Полученные результаты были высоко отмечены международным научным сообществом. Так, в этом же году ему была присуждена престижная премия Франклиновского института в США. Как отметалось ранее, в 2000 году выдающиеся заслуги были отмечены Нобелевским комитетом.

Жорес Иванович Алферов активно занимается не только наукой, но общественной деятельностью, а также политикой. При его патронаже и непосредственной инициативе в 2000-х годах в Санкт-Петербурге был возведен лицей для школьников, которые обладают способностями в области точных наук (в частности – физике). В нем преподают именитые профессоры с большим практическим опытом с целью выявления одаренных будущих ученых. Общая площадь лицея с бассейном, крытым кортом и компьютерными классами составляет 15 000 кв.м. Жорес Иванович находится в хороших отношениях с действующим президентом Российской Федерации В.В.Путиным, являлся многократно переизбираемым депутатом Госдумы. Является ректором-организатором Академического университета, членом российской и белорусской академий наук, почетным профессором многочисленных университетов по всему миру. Автор более 500 научных работ, 50 изобретений и 3 монографий.

Жоре́с Ива́нович Алфёров (белор. Жарэс Iванавiч Алфёраȳ; род. 15 марта 1930, Витебск, Белорусская ССР, СССР) - советский и российский физик, лауреат Нобелевской премии по физике 2000 года за разработку полупроводниковых гетероструктур и создание быстрых опто- и микроэлектронных компонентов, академик РАН, почётный член Национальной Академии наук Азербайджана (с 2004 года), иностранный член Национальной академии наук Беларуси, почётный член Национальной Академии наук Армении (с 2011 года). Его исследование сыграло большую роль в информатике. Депутат Госдумы РФ от КПРФ, являлся инициатором учреждения в 2002 году премии «Глобальная энергия», до 2006 года возглавлял Международный комитет по её присуждению. Является ректором-организатором нового Академического университета.

Биография

Родился в белорусско-еврейской семье Ивана Карповича Алфёрова и Анны Владимировны Розенблюм. Отец будущего учёного родился в Чашниках, мать происходила из местечка Крайск (ныне Логойский район Минской области Белоруссии). Имя получил в честь Жана Жореса. Довоенные годы провёл в Сталинграде, Новосибирске, Барнауле и Сясьстрое.

Во время Великой Отечественной войны семья Алфёровых переехала в Туринск (Свердловская область), где его отец работал директором целлюлозно-бумажного завода, и после её окончания в разрушенный войной Минск. Старший брат - Маркс Иванович Алфёров (1924-1944) - погиб на фронте. Окончил с золотой медалью среднюю школу № 42 в Минске и по совету учителя физики Якова Борисовича Мельцерзона поехал поступать в Ленинград, в ЛЭТИ. В 1952 году окончил факультет электронной техники Ленинградского электротехнического института имени В. И. Ульянова (Ленина) (ЛЭТИ), куда был принят без экзаменов.

Вице-президент Российской академии наук Жорес Алферов в школе был троечником. Учеба его не увлекала совершенно: одни предметы наводили сон, другие и вовсе раздражали. Особенно не любил маленький Жорес физику. Ни электрическую цепь правильно построить, ни в надоевшей баллистике разобраться он не мог. Да и не особенно хотелось… Учитель считал его посредственностью, и только в исключительных случаях, расщедрившись, ставил четверки. И ведь тогда никто и предположить не мог, что середнячок Алферов через несколько десятков лет станет лауреатом Нобелевской премии в области физики и премии Киото, которая состоит из золотой медали, диплома и 400 000 долларов.

С 1953 года работал в Физико-техническом институте имени А. Ф. Иоффе, где был младшим научным сотрудником в лаборатории В. М. Тучкевича и принимал участие в разработке первых отечественных транзисторов и силовых германиевых приборов. Кандидат физико-математических наук (1961). В 1970 году Алфёров защитил диссертацию, обобщив новый этап исследований гетеропереходов в полупроводниках, и получил степень доктора физико-математических наук. В 1972 году Алфёров стал профессором, а через год - заведующим базовой кафедрой оптоэлектроники ЛЭТИ. С начала 1990-х годов Алфёров занимался исследованием свойств наноструктур пониженной размерности: квантовых проволок и квантовых точек. С 1987 по май 2003 года - директор ФТИ им. А. Ф. Иоффе, с мая 2003 по июль 2006 года - научный руководитель. С 1988 г. (момента основания) декан физико-технического факультета СПбГПУ.

В 1990-1991 годах - вице-президент АН СССР, председатель Президиума Ленинградского научного центра. С 2003 года - председатель Научно-образовательного комплекса «Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр» РАН. Академик АН СССР (1979), затем РАН, почётный академик Российской академии образования. Вице-президент РАН, председатель президиума Санкт-Петербургского научного центра РАН. Главный редактор «Писем в Журнал технической физики».

В 2008 году принял участие в подготовке издания второй книги из серии «Автограф века». Был главным редактором журнала «Физика и техника полупроводников», членом редакционной коллегии журнала «Поверхность: Физика, химия, механика», членом редакционной коллегии журнала «Наука и жизнь». Был членом правления Общества "Знание" РСФСР.

5 апреля 2010 года объявлено о том, что Алфёров назначен научным руководителем инновационного центра в Сколково.

С 2010 года - сопредседатель Консультативного научного Совета Фонда «Сколково».

Политическая деятельность

• 1944 - становится членом ВЛКСМ.
• 1965 - становится членом КПСС.
• 1989-1992 - народный депутат СССР,
• 1995-1999 - депутат Государственной думы Федерального собрания РФ 2 созыва от движения «Наш дом - Россия» (НДР), председатель подкомитета по науке Комитета по науке и образованию Госдумы, член фракции НДР, с 1998 - член депутатской группы Народовластие.
• 1999-2003 - депутат Государственной думы Федерального собрания РФ 3 созыва от партии КПРФ, член фракции КПРФ, член комитета по образованию и науке.
• 2003-2007 - депутат Государственной думы Федерального собрания РФ 4 созыва от партии КПРФ, член фракции КПРФ, член комитета по образованию и науке.
• C 2007 - депутат Государственной думы Федерального собрания РФ 5 созыва от партии КПРФ, член фракции КПРФ, член Комитета Государственной Думы по науке и наукоёмким технологиям. Старейший депутат Государственной думы Федерального собрания РФ 5 созыва.
• Член редакционного совета радиогазеты «Слово»
• Председатель Редакционной коллегии журнала «Нанотехнологии Экология Производство»
• Учредил Фонд поддержки образования и науки для поддержки талантливой учащейся молодёжи, содействия её профессиональному росту, поощрения творческой активности в проведении научных исследований в приоритетных областях науки. Первый вклад в Фонд был сделан Жоресом Алфёровым из средств Нобелевской премии.

Взгляды

• Автор Открытого письма 10 академиков Путину против клерикализации
• Выступает против преподавания в школах предмета Основы православной культуры
• Продемонстрировал в 2000-х г.г. социальное расслоение российского общества, взяв в руки бокал с вином и сказав: «Содержимое его принадлежит - увы! - всего-навсего десяти процентам населения. А ножка, на которой держится бокал, - это остальное население ».

Награды и премии

Награды России и СССР

Полный кавалер ордена «За заслуги перед Отечеством»:

• Орден «За заслуги перед Отечеством» I степени (14 марта 2005) - за выдающиеся заслуги в развитии отечественной науки и активное участие в законотворческой деятельности
• Орден «За заслуги перед Отечеством» II степени (2000)
• Орден «За заслуги перед Отечеством» III степени (4 июня 1999) - за большой вклад в развитие отечественной науки, подготовку высококвалифицированных кадров и в связи с 275-летием Российской академии наук
• Орден «За заслуги перед Отечеством» IV степени (15 марта 2010) - за заслуги перед государством, большой вклад в развитие отечественной науки и многолетнюю плодотворную деятельность
• Орден Ленина (1986)
• Орден Октябрьской Революции (1980)
• Орден Трудового Красного Знамени (1975)
• Орден «Знак Почёта» (1959)
• Медали
• Государственная премия Российской Федерации 2001 года в области науки и техники (5 августа 2002) за цикл работ «Фундаментальные исследования процессов формирования и свойств гетероструктур с квантовыми точками и создание лазеров на их основе»
• Ленинская премия (1972) - за фундаментальные исследования гетеропереходов в полупроводниках и создание новых приборов на их основе
• Государственная премия СССР (1984) - за разработку изопериодических гетероструктур на основе четверных твёрдых растворов полупроводниковых соединений A3B5

Иностранные награды

• Орден Франциска Скорины (Белоруссия, 17 мая 2001) - за большой личный вклад в развитие физической науки, организацию белорусско-российского научно-технического сотрудничества, укрепление дружбы народов Белоруссии и России
• Орден князя Ярослава Мудрого (Украина, 15 мая 2003) - за весомый личный вклад в развитие сотрудничества между Украиной и Российской Федерацией в социально-экономической и гуманитарной сферах

Прочие награды

• Нобелевская премия (Швеция, 2000) - за развитие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной оптоэлектроники
• Премия Ника Холоньяка (Оптическое общество США, 2000)
• Хьюллет-Паккардовская премия (Европейское физическое общество, 1978) - за новые работы в области гетеропереходов
• Премия А. П. Карпинского (ФРГ, 1989) - за вклад в развитие физики и техники гетероструктур
• Премия имени А. Ф. Иоффе (РАН, 1996) - за цикл работ «Фотоэлектрические преобразователи солнечного излучения на основе гетероструктур»
• Демидовская премия (Научный Демидовский фонд, Россия, 1999)
• Премия Киото (Инамори фонд, Япония, 2001) - за успехи в создании полупроводниковых лазеров, работающих в непрерывном режиме при комнатных температурах - пионерский шаг в оптоэлектронике
• Премия В. И. Вернадского (НАН Украины, 2001)
• Премия «Российский Национальный Олимп». Титул «Человек-легенда» (РФ, 2001)
• Международная энергетическая премия «Глобальная энергия» (Россия, 2005)
• Золотая медаль Х. Велькера (1987) - за пионерские работы по теории и технологии приборов на основе соединений III-V групп
• Медаль Балантайна (Институт Франклина, США, 1971) - за теоретические и экспериментальные исследования двойных лазерных гетероструктур, благодаря которым были созданы источники лазерного излучения малых размеров, работающие в непрерывном режиме при комнатной температуре
• Золотая медаль имени А. С. Попова (РАН, 1999)
• Золотая медаль (SPIE, 2002)
• Награда Симпозиума по GaAs (1987) - за пионерские работы в области полупроводниковых гетероструктур на основе соединений III-V групп и разработку инжекционных лазеров и фотодиодов
• Награда «Золотая тарелка» (Академия достижений, США, 2002)
• XLIX Менделеевский чтец - 19 февраля 1993 года
• Звание и медаль Почётного профессора МФТИ (2008)
• Награда «Почетный орден РАУ». Удостоен звания «Почетный доктор Российско-Армянского (Славянского) университета».(ГОУ ВПО Российско-Армянский (Славянский)университет,Армения, 2011)

Жорес Иванович Алфёров родился в белорусском городе Витебске. После 1935 года семья переехала на Урал. В г. Туринске Алфёров учился в школе с пятого по восьмой классы. 9 мая 1945 года его отец, Иван Карпович Алфёров, получил назначение в Минск, где Алфёров окончил мужскую среднюю школу №42 с золотой медалью. Он стал студентом факультета электронной техники (ФЭТ) Ленинградского электротехнического института (ЛЭТИ) им. В.И. Ульянова по совету школьного учителя физики, Якова Борисовича Мельцерзона.

На третьем курсе Алфёров пошел работать в вакуумную лабораторию профессора Б.П. Козырева. Там он начал экспериментальную работу под руководством Наталии Николаевны Созиной. Со студенческих лет Алфёров привлекал к участию в научных исследованиях других студентов. Так, в 1950 году полупроводники стали главным делом его жизни.

В 1953 году, после окончания ЛЭТИ, Алфёров был принят на работу в Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе в лабораторию В.М. Тучкевича. В первой половине 50-х годов перед институтом была поставлена задача создать отечественные полупроводниковые приборы для внедрения в отечественную промышленность. Перед лабораторией стояла задача: получение монокристаллов чистого германия и создание на его основе плоскостных диодов и триодов. При участии Алфёрова были разработаны первые отечественные транзисторы и силовые германиевые приборы. За комплекс проведенных работ в 1959 году Алфёров получил первую правительственную награду, им была защищена кандидатская диссертация, подводившая черту под десятилетней работой.

После этого перед Ж.И. Алфёровым встал вопрос о выборе дальнейшего направления исследований. Накопленный опыт позволял ему перейти к разработке собственной темы. В те годы была высказана идея использования в полупроводниковой технике гетеропереходов. Создание совершенных структур на их основе могло привести к качественному скачку в физике и технике.

В то время во многих журнальных публикациях и на различных научных конференциях неоднократно говорилось о бесперспективности проведения работ в этом направлении, т.к. многочисленные попытки реализовать приборы на гетеропереходах не приходили к практическим результатам. Причина неудач крылась в трудности создания близкого к идеальному перехода, выявлении и получении необходимых гетеропар.

Но это не остановило Жореса Ивановича. В основу технологических исследований им были положены эпитаксиальные методы, позволяющие управлять такими фундаментальными параметрами полупроводника, как ширина запрещенной зоны, величина электронного сродства, эффективная масса носителей тока, показатель преломления и т.д. внутри единого монокристалла.

Для идеального гетероперехода подходили GaAs и AlAs, но последний почти мгновенно на воздухе окислялся. Значит, следовало подобрать другого партнера. И он нашелся тут же, в институте, в лаборатории, возглавляемой Н.А. Горюновой. Им оказалось тройное соединение AIGaAs. Так определилась широко известная теперь в мире микроэлектроники гетеропара GaAs/AIGaAs. Ж.И. Алфёров с сотрудниками не только создали в системе AlAs – GaAs гетероструктуры, близкие по своим свойствам к идеальной модели, но и первый в мире полупроводниковый гетеролазер, работающий в непрерывном режиме при комнатной температуре.

Открытие Ж.И. Алфёровым идеальных гетеропереходов и новых физических явлений – "суперинжекции", электронного и оптического ограничения в гетероструктурах – позволило также кардинально улучшить параметры большинства известных полупроводниковых приборов и создать принципиально новые, особенно перспективные для применения в оптической и квантовой электронике. Новый этап исследований гетеропереходов в полупроводниках Жорес Иванович обобщил в докторской диссертации, которую успешно защитил 1970 году.

Работы Ж.И. Алфёрова были по заслугам оценены международной и отечественной наукой. В 1971 году Франклиновский институт (США) присуждает ему престижную медаль Баллантайна, называемую "малой Нобелевской премией" и учрежденную для награждения за лучшие работы в области физики. Затем следует самая высокая награда СССР – Ленинская премия (1972 год).

С использованием разработанной Ж.И. Алфёровым в 70-х годах технологии высокоэффективных, радиационностойких солнечных элементов на основе AIGaAs/GaAs гетероструктур в России (впервые в мире) было организовано крупномасштабное производство гетероструктурных солнечных элементов для космических батарей. Одна из них, установленная в 1986 году на космической станции "Мир", проработала на орбите весь срок эксплуатации без существенного снижения мощности.

На основе предложенных в 1970 году Ж.И. Алфёровым и его сотрудниками идеальных переходов в многокомпонентных соединениях InGaAsP созданы полупроводниковые лазеры, работающие в существенно более широкой спектральной области, чем лазеры в системе AIGaAs. Они нашли широкое применение в качестве источников излучения в волоконно-оптических линиях связи повышенной дальности.

В начале 90-х годов одним из основных направлений работ, проводимых под руководством Ж.И. Алфёрова, становится получение и исследование свойств наноструктур пониженной размерности: квантовых проволок и квантовых точек.

В 1993-94 годах впервые в мире реализуются гетеролазеры на основе структур с квантовыми точками – "искусственными атомами". В 1995 году Ж.И. Алфёров со своими сотрудниками впервые демонстрирует инжекционный гетеролазер на квантовых точках, работающий в непрерывном режиме при комнатной температуре. Принципиально важным стало расширение спектрального диапазона лазеров с использованием квантовых точек на подложках GaAs. Таким образом, исследования Ж.И. Алфёрова заложили основы принципиально новой электроники на основе гетероструктур с очень широким диапазоном применения, известной сегодня как "зонная инженерия".

В одном из своих многочисленных интервью (1984 год) на вопрос корреспондента: "По слухам, Вы нынче были представлены к Нобелевской премии. Не обидно, что не получили?" Жорес Иванович ответил: "Слышал, что представляли уже не раз. Практика показывает – либо ее дают стразу после открытия (в моем случае это середина 70-х годов), либо уже в глубокой старости. Так было с П.Л. Капицей. Значит, у меня еще все впереди".

Здесь Жорес Иванович ошибся. Как говорится, награда нашла героя раньше наступления глубокой старости. 10 октября 2000 года по всем программам российского телевидения сообщили о присуждении Ж.И. Алфёрову Нобелевской премии по физике за 2000 год.

Современные информационные системы должны отвечать двум простым, но основополагающим требованиям: быть быстрыми, чтобы большой объем информации, можно было передать за короткий промежуток времени, и компактными, чтобы уместиться в офисе, дома, в портфеле или кармане.

Своими открытиями Нобелевские лауреаты по физике за 2000 год создали основу такой современной техники. Жорес Алфёров и Герберт Кремер открыли и развили быстрые опто- и микроэлектронные компоненты, которые создаются на базе многослойных полупроводниковых гетероструктур.

Гетеролазеры передают, а гетероприемники принимают информационные потоки по волоконно-оптическим линиям связи. Гетеролазеры можно обнаружить также в проигрывателях CD-дисков, устройствах, декодирующих товарные ярлыки, в лазерных указках и во многих других приборах.

На основе гетероструктур созданы мощные высокоэффективные светоизлучающие диоды, используемые в дисплеях, лампах тормозного освещения в автомобилях и светофорах. В гетероструктурных солнечных батареях, которые широко используются в космической и наземной энергетике, достигнуты рекордные эффективности преобразования солнечной энергии в электрическую.

Джек Килби награжден за свой вклад в открытие и развитие интегральных микросхем, благодаря чему стала быстро развиваться микроэлектроника, являющаяся – наряду с оптоэлектроникой – основой всей современной техники.

В 1973 году Алфёров, при поддержке ректора ЛЭТИ А.А. Вавилова, организовал базовую кафедру оптоэлектроники (ЭО) на факультете электронной техники Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе.

В невероятно сжатые сроки Ж.И. Алфёров совестно с Б.П. Захарченей и другими учеными Физтеха разработал учебный план подготовки инженеров по новой кафедре. Он предусматривал обучение студентов первого и второго курсов в стенах ЛЭТИ, поскольку уровень физико-математической подготовки на ФЭТ был высоким и создавал хороший фундамент для изучения специальных дисциплин, которые, начиная с третьего курса, читались учеными Физтеха на его территории. Там же с использованием новейшего технологического и аналитического оборудования выполнялись лабораторные практикумы, а также курсовые и дипломные проекты под руководством преподавателей базовой кафедры.

Прием студентов на первый курс в количестве 25 человек осуществлялся через вступительные экзамены, а комплектование групп второго и третьего курсов для обучения по кафедре ОЭ проходило из студентов, обучавшихся на ФЭТ и на кафедре диэлектриков и полупроводников Электрофизического факультета. Комиссию по отбору студентов возглавлял Жорес Иванович. Из примерно 250 студентов, обучавшихся на каждом курсе, было отобрано по 25 лучших. 15 сентября 1973 года начались занятия студентов вторых и третьих курсов. Для этого был подобран прекрасный профессорско-преподавательский состав.

Ж.И. Алфёров очень большое внимание уделял и уделяет формированию контингента студентов первого курса. По его инициативе в первые годы работы кафедры в период весенних школьных каникул проводились ежегодные школы "Физика и жизнь". Ее слушателями были учащиеся выпускных классов школ Ленинграда. По рекомендации учителей физики и математики наиболее одаренным школьникам вручались приглашения принять участие в работе этой школы. Таким образом набиралась группа в количестве 30-40 человек. Они размещались в институтском пионерском лагере «Звездный». Все расходы, связанны с проживанием, питанием и обслуживанием школьников, наш вуз брал на себя.

На открытие школы приезжали все ее лекторы во главе с Ж.И. Алфёровым. Все проходило и торжественно, и очень по-домашнему. Первую лекцию читал Жорес Иванович. Он так увлекательно говорил о физике, электронике, гетероструктурах, что все его слушали как завороженные. Но и после лекции не прекращалось общение Ж.И. Алфёрова с ребятами. Окруженный ими, он ходил по территории лагеря, играл в снежки, дурачился. Насколько не формально он относился к этому "мероприятию", говорит тот факт, что в эти поездки Жорес Иванович брал свою жену Тамару Георгиевну и сына Ваню...

Результаты работы школы не замедлили сказаться. В 1977 году состоялся первый выпуск инженеров по кафедре ОЭ, количество выпускников, получивших дипломы с отличием, на факультете удвоилось. Одна группа студентов этой кафедры дала столько же "красных" дипломов, сколько остальные семь групп.

В 1988 году Ж.И. Алфёров организовал в Политехническом институте физико-технический факультет.

Следующим логическим шагом стало объединение этих структур под одной крышей. К реализации данной идеи Ж.И. Алфёров приступил еще в начале 90-х годов. При этом он не просто строил здание Научно-образовательного центра, он закладывал фундамент будущего возрождения страны... И вот первого сентября 1999 года здание Научно-образовательного центра (НОЦ) вступило в строй.

Алфёров всегда остается самим собой. В общении с министрами и студентами, директорами предприятий и простыми людьми он одинаково ровен. Не подстраивается под первых, не возвышается над вторыми, но всегда с убежденностью отстаивает свою точку зрения.

Ж.И. Алфёров всегда занят. Его рабочий график расписан на месяц вперед, а недельный рабочий цикл таков: утро понедельника – Физтех (он его директор), вторая половина дня – Санкт-Петербургский научный центр (он председатель); вторник, среда и четверг – Москва (он член Государственной думы и вице-президент РАН, к тому же нужно решать многочисленные вопросы в министерствах) или Санкт-Петербург (тоже вопросов выше головы); утро пятницы – Физтех, вторая половина дня – Научно-образовательный центр (директор). Это только крупные штрихи, а между ними – научная работа, руководство кафедрой ОЭ в ЭТУ и физико-техническим факультетом в ТУ, чтение лекций, участие в конференциях. Всего не перечесть!

Алфёров прекрасный лектор и рассказчик. Неслучайно все информационные агентства мира отметили именно Алфёровскую Нобелевскую лекцию, которую он прочитал на английском языке без конспекта и с присущим ему блеском.

Существует традиция, когда на банкете, который устраивает король Швеции в честь Нобелевских лауреатов (на нем присутствуют свыше тысячи гостей), представляется слово только одному лауреату от каждой "номинации". В 2000 году Нобелевской премии по физике были удостоены три человека: Ж.И. Алфёров, Герберт Кремер и Джек Килби. Так вот двое последних уговорили Жореса Ивановича выступить на этом банкете. И он эту просьбу выполнил блестяще, в своем слове удачно обыграв нашу российскую привычку делать "одно любимое дело" на троих.

В своей книге "Физика и жизнь" Ж.И. Алфёров, в частности, пишет: "Все, что создано человечеством, создано благодаря науке. И если уж суждено нашей стране быть великой державой, то она ею будет не благодаря ядерному оружию или западным инвестициям, не благодаря вере в Бога или Президента, а благодаря труду ее народа, вере в знание, в науку, благодаря сохранению и развитию научного потенциала и образования.

Десятилетним мальчиком я прочитал замечательную книгу Вениамина Каверина "Два капитана". И всю последующую жизнь я следовал принципу ее главного героя Сани Григорьева: «Бороться и искать, найти и не сдаваться». Правда, очень важно при этом понимать, за что ты берешься".

В авугсте 2012 года Жорес Алферов избран председателем общественного совета при министерстве образования и науки РФ.

Родился в Витебске в 1930 г. Имя получил в честь Жана Жореса, основателя газеты L’Humanite и лидера французской социалистической партии.

Окончил с золотой медалью школу и в 1952 году окончил факультет электронной техники Ленинградского электротехнического института им. В.И. Ульянова (ЛЭТИ).

С 1953 г. работал в Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе, принимал участие в разработке первых отечественных транзисторов и силовых германиевых приборов. В 1970 г. защитил докторскую диссертацию, обобщив новый этап исследований гетеропереходов в полупроводниках. В 1971 г. был удостоен первой международной награды - золотой медали Стюарта Баллантайна Франклиновского института (США), получившей название малой нобелевской премии.

Королевская Академия Наук Швеции присудила Жоресу И. Алферову Нобелевскую премию по физике за 2000 год - за труды, заложившие основы современной информационной техники - за развитие полупроводниковых гетероструктур и создание быстрых опто- и микроэлектронных компонентов. Развитие волоконно-оптической связи, интернета, солнечной энергетики, мобильной телефонии, светодиодной и лазерной техники в значительной степени основано на исследованиях и открытиях Ж.И Алферова.

Так же выдающийся вклад Ж.И. Алферова отмечен многочисленными международными и отечественными премиями и наградами: Ленинской и Государственной премиями (СССР), золотой медалью Велькера (ФРГ), премией Киото (Япония), премией А.Ф. Иоффе, золотой медалью Попова (РАН), Государственной премией РФ, Демидовской премией, премией «Глобальная энергия» (Россия), премией и золотой медалью К. Бойера (США, 2013 г.) и множеством других.

Ж.И. Алферов избран почетным и иностранным членом более 30 зарубежных академий наук и научных обществ, в том числе национальных академий наук: Италии, Испании, Китая, Кореи и многих других. Единственный из российских ученых, кто одновременно был избран иностранным членом Национальной Академии наук США и Национальной инженерной академии наук США. Более 50 университетов из 20 стран избрали его почетным доктором и профессором.

Ж.И. Алферов - полный кавалер ордена «За заслуги перед Отечеством», отмечен государственными наградами СССР, Украины, Белоруссии, Кубы, Франции, Китая.

С 1990 г. - вице-президент АН СССР, с 1991 г. - вице-президент РАН. Является одним из виднейших организаторов академической науки в России и активным сторонником создания образовательных центров на базе ведущих институтов РАН. В 1973 году при ФТИ им была создана первая базовая кафедра оптоэлектроники в ЛЭТИ. Был директором (1987-2003 г.) и научным руководителем (2003-2006 г.) ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, а с 1988 г. деканом созданного им Физико-технического факультета Ленинградского политехнического института (ЛПИ). В 2002 г. создал Академический физико-технологический университет - первое высшее учебное заведение, входящее в систему РАН. В 2009 г. к университету был присоединён созданный им в 1987 г. на базе ФТИ Лицей «Физико-техническая школа» и Научный центр нанотехнологий и организован Санкт-Петербургский академический университет - научно-образовательным центр нанотехнологий РАН (в 2010 г. получил статус Национального исследовательского университета), в котором стал ректором. Создал собственную научную школу: среди его учеников более 50 кандидатов, десятки докторов наук, 7 членов-корреспондентов РАН. С 2010 г. - сопредседатель вместе с Нобелевским лауреатом Роджером Корнбергом (США) Научно-консультативного совета фонда «Сколково».

В феврале 2001 г. создал Фонд поддержки образования и науки (Алферовский фонд), вложив в него значительную часть своей Нобелевской премии. Первая благотворительная программа фонда - «Установление пожизненной материальной помощи вдовам академиков и членов-корреспондентов РАН, работавших в Санкт-Петербурге». Фонд учредил стипендии учащимся российских школ и лицеев, студентам и аспирантам вузов, премии и гранты молодым ученым. В ряде стран находятся представительства и самостоятельные фонды поддержки образования и науки, учрежденные Ж.И. Алферовым и созданные при его содействии: в Республике Беларусь, в Казахстане, в Италии, на Украине, в Азербайджане.

В лице Жореса Алферова наука получила поистине неоценимого человека, что доказывают его многочисленные награды и статусы. В настоящее время он имеет Нобелевскую премию, государственные награды Советского Союза и России, состоит в числе академиков РАН и является вице-президентом этой организации. Ранее ему была присуждена Ленинская премия. Алферов получил статус почетного гражданина многих населенных пунктов, включая российские, белорусские и даже город в Венесуэле. Он состоит в Госдуме, занимается наукой и вопросами образования.

Чем известен?

Академик Жорес Алферов, как говорят некоторые, совершил революцию в современной науке. Всего под его авторством вышло более полутысячи научных работ, порядка полусотни разработок, открытий, признанных прорывом в своей области. Благодаря ему стала возможна новая электроника - Алферов буквально создал принципы науки с нуля. Во многом именно благодаря сделанным им открытиям мы имеем ту телефонию, сотовую связь, спутники, которыми располагает человечество. Открытия Алферова обеспечили нас оптоволокном и светодиодами. Фотоника, скоростная электроника, энергетика, связанная с солнечным светом, эффективные методы экономичного расходования энергии - все это обусловлено использованием разработок Алферова.

Как известно из биографии Жореса Алферова, этот человек внес уникальный вклад в развитие цивилизации, и его достижения применяются всеми и каждым - от считывающих штрих-коды аппаратов в магазине до сложнейших устройств спутниковой связи. Перечислить все объекты, построенные с использованием наработок этого физика, просто невозможно. Можно смело говорить, что преимущественный процент жителей нашей планеты в той или иной степени пользуется открытиями Алферова. Всякий мобильный оснащен полупроводниками, которые он разработал. Без лазера, над которым он трудился, не существовало бы проигрывателей компакт-дисков, компьютеры не могли бы считывать информацию через дисковод.

Такой многосторонний

Как рассказывает биография Жореса Алферова, работы этого человека были признаны на мировом уровне, стали исключительно известными, как и он сам. Многочисленные монографии, учебники написаны с применением базовых принципов и достижений ученого. Сегодня он продолжает активно трудится, работает в сфере науки, исследовательских задач, преподает, ведет активную просветительскую деятельность. Одна из целей, выбранных себе Алферовым, - работа в направлении увеличения престижа российской физики.

Как все начиналось

Хотя для всех гениальный физик - русский, национальность Жореса Алферова - белорус. Он увидел свет в белорусском городе Витебске в 30-м году, весной - 15 марта. Отца звали Иваном, мать - Анной. Позднее физик женится на Тамаре, у него появится двое детей. Сын председательствует в управленческой структуре фонда, названного именем отца, а дочь работает в отвечающей за имущество администрации СПб НЦ РАН в должности главного специалиста.

Отец ученого был из Чашников, его мать - из Крайска. Будучи восемнадцатилетним, Иван впервые прибыл в Петербург в 1912, устроился грузчиком, трудился фабричным работником, затем перешел на завод. В период Первой всемирной войны получил статус унтер-офицера, в 17-м присоединился к большевикам, до самой смерти не отступал от идеалов своих юных лет. Потом, когда произойдут изменения в государстве, Жорес Алферов скажет, что его родителям посчастливилось не увидеть 94-й. Известно, что отец физика в период гражданской войны контактировал с Лениным, Троцким. После 35-го ему довелось быть заводским управленцем, начальствовать над трестом. Он зарекомендовал себя порядочным мужчиной, не терпящим пустого осуждения и клеветы. В жены он выбрал себе разумную, спокойную, мудрую женщину. Качества ее характера во многом передадутся сыну. Анна трудилась в библиотеке и тоже искренне верила в идеалы революции. Это заметно, между прочим, по имени ученого: в тот период было модно выбирать для детей имена, связанные с революцией, и Алферовы назвали первого ребенком Марксом, а второму дали имя в честь Жана Жореса, прославившегося своими деяниями в период революции во Франции.

Жизнь идет своим чередом

В те годы Жорес Алферов, как и его брат Маркс, были объектами пристального внимания окружающих. От детей директора ждали показательного поведения, лучших оценок, безупречной общественной активности. В 41-м Маркс окончил школу, поступил в вуз, спустя считанные недели отправился на фронт, где был тяжело ранен. В 43-м три дня удалось провести рядом с близкими - после госпиталя юноша решил вновь вернуться на защиту отечества. До конца войны дожить ему не посчастливилось, молодой человек погиб в Корсунь-Шевченковской операции. В 1956 г. младший брат отправится на поиски могилы, встретит в украинской столице Захарченю, с которым затем сдружится. Они отправятся на поиски вместе, найдут деревушку Хильки, найдут братскую могилу, заросшую сорняками с редкими вкраплениями незабудок и ноготков.

Взирающий со сделанных в последние годы фото Жорес Алферов - уверенный, опытный, мудрый человек. Эти качества, во многом полученные от матери, он взращивал в себе на протяжении всей своей непростой жизни. Известно, что в Минске молодой человек обучался в единственной школе, которая тогда работала. Ему повезло учиться у Мельцерзона. Специального кабинета для занятия физикой не было, и все же учитель приложил все силы к тому, чтобы каждый из его слушателей полюбил предмет. Хотя в целом, как потом будет вспоминать нобелевский лауреат, класс был неспокойным, на уроках физика все сидели, затаив дыхание.

Первое знакомство - первая любовь

Уже тогда, получая свое первое образование, Жорес Алферов смог познать и понять чудеса физики. Будучи школьником, от учителя он узнал, как работает осциллограф на катодах, получил общие представления о радиолокационных принципах и определил для себя будущий жизненный путь - он понял, что свяжет его именно с физикой. Было решено отправиться поступать в ЛЭТИ. Как он потом признает, юноше повезло с научным руководителем. Будучи третьекурсником, он выбрал для себя вакуумную лабораторию, начал экспериментировать под контролем Созиной, не так давно успешно защитившей диссертацию, посвященную инфракрасным полупроводниковым локаторам. Именно тогда он тесно познакомился с проводниками, которые вскоре станут центром и основным делом всей его научной карьеры.

Как вспоминает сейчас Жорес Алферов, первой прочитанной им физической монографией была «Электропроводность полупроводников». Издание было создано в период, когда Ленинград оккупировали немецкие войска. Распределение в 1952 г., начинавшееся с мечты о Физтехе, которым руководил Иоффе, дало ему новые шансы. Вакансий было три, на одну из них выбрали перспективного молодого человека. Потом он скажет, что это распределение во многом определило его будущее, а вместе с тем - будущее нашей цивилизации. Правда, в это время молодой Жорес еще не знал, что всего лишь за пару месяцев до его прихода Иоффе заставили уйти из учебного заведения, которым он руководил вот уже три десятилетия.

Развитие науки

Жорес Алферов всю жизнь ярко помнит свой первый день в вузе мечты. Это был предпоследний январский день 53-го. В качестве научного руководителя ему достался Тучкевич. Группа ученых, в которую попал Алферов, должна была разработать диоды из германия, транзисторы, причем сделать это полностью самостоятельно, не прибегая к иностранным наработкам. В том году институт был довольно мал, Жоресу выдали пропуск под номером 429 - именно столько человек работало здесь. Так сложилось, что многие как раз незадолго до этого разъехались. Кто-то устроился в центры, посвященные атомной энергетике, кто-то уехал непосредственно к Курчатову. Алферов потом будет часто вспоминать первый семинар, на который он попал на новом месте. Он выслушал доклад Гросса, его потрясло нахождение в одной аудитории с людьми, открывающими что-то новое в области, с которой он едва начал знакомиться ближе. Заполняемый тогда лабораторный журнал, в который 5 марта был вписан факт удачно сконструированного p-n-p-транзистора, Алферов и по сей день хранит как важный артефакт.

Как говорят современные ученые, остается лишь удивляться тому, как Жорес Алферов и его немногочисленные коллеги, преимущественно столь же молодые, как и он, пусть и руководимые опытным Тучкевичем, смогли достичь таких значимых достижений в короткие сроки. Всего за несколько месяцев были заложены базы транзисторной электроники, сформирован фундамент методологии, технологии в этой области.

Новые времена - новые цели

Коллектив, в котором работал Жорес Алферов, постепенно становился все многочисленнее, вскоре удалось разработать силовые выпрямители - первые на территории СССР, батареи из кремния, улавливающие солнечную энергию, а также изучены особенности активности кремниевых, германиевых примесей. В 1958 г. поступила просьба: необходимо было создать полупроводники для обеспечения работы подлодки. Такие условия требовали принципиально отличного от уже известных решения. Алферов получил личный звонок от Устинова, после чего на пару месяцев буквально переехал в лабораторию, чтобы не тратить время и не отвлекаться от работы на бытовые мелочи. Задачу решили в кратчайшие сроки, в октябре того же года подводная лодка была оснащена всем необходимым. За работу научный сотрудник получил орден, который и сегодня считает одной из ценнейших наград за свою жизнь.

1961 г. был отмечен защитой кандидатской, в которой Жорес Алферов исследовал выпрямители из германия, кремния. Работа стала фундаментом полупроводниковой советской электроники. Если первое время он был одним из немногих ученых, придерживавшихся мнения, что будущее за гетероструктурами, к 1968 г. появились сильные американские конкуренты.

Жизнь: любовь не только к физике

В 1967 г. удалось получить направление в командировку в Англию. Основной задачей было обсудить физическую теорию, которую английские физики того времени считали бесперспективной. Одновременно молодой физик приобрел свадебные подарки: уже тогда личная жизнь Жореса Алферова позволяла предположить стабильное будущее. Как только он вернулся домой, сыграли свадьбу. Женой ученый выбрал дочь актера Дарского. Потом он скажет, что в девушке невероятно сочетались красота, ум и душевность. Тамара работала в Химках, на предприятии, занимавшемся в сфере освоения космоса. Заработная плата Жореса была достаточно велика, чтобы раз в неделю летать к жене, а спустя полгода женщина перебралась в Ленинград.

Пока семья Жореса Алферова была рядом, его группа работала над идеями, связанными с гетероструктурами. Сложилось так, что за период 68-69 гг. удалось реализовать большинство перспективных идей контроля потоков света и электронов. Качества, указывающие на преимущества гетероструктур, стали очевидны даже для тех, кто сомневался. Одним из основных достижений было признано формирование лазера на сдвоенной гетероструктуре, функционирующего при комнатной температуре. Фундаментом установки стала структура, разработанная Алферовым в 1963-м.

Новые открытия и новые успехи

1969-й стал годом проведения Ньюаркской конференции, посвященной люминесценции. Доклад Алферова по эффекту можно было сравнить с внезапным взрывом. 70-71-й гг. были отмечены полугодовым пребыванием на территории Америки: Жорес трудился в Иллинойском университете в команде с Холоньяком, с которым тогда же близко сдружился. В 1971 г. ученый впервые получил награду междугородного уровня - имени Баллантайна. Институт, от имени которого была вручена эта медаль, ранее отметил ею Капице, Сахарова, и оказаться в списке медалистов для Алферова стало не просто комплиментом и признанием его заслуг, но действительно большой честью.

В 1970 советские ученые собрали первые солнечные батареи, применимые для космических установок, ориентируясь на работы Алферова. Технологии передали предприятию «Квант», применили для потокового производства, и вскоре удалось выпустить достаточно много солнечных элементов - на них строили спутники. Производство организовали в промышленном масштабе, а многочисленные преимущества технологии были доказаны длительным использованием в условиях космоса. Альтернатив, сравнимых по эффективности, для космического пространства нет и по сей день.

Плюсы и минусы популярности

Хотя в те времена про государство Жорес Алферов практически не говорил, специальные службы 70-х относились к нему с большим подозрением. Причина была очевидна - многочисленные премии. Ему пытались закрыть выезд из страны. Тогда же появились ненавистники, завистники. Впрочем, природная предприимчивость, способность быстро и адекватно реагировать, ясный ум позволили ученому блестяще справиться со всеми препонами. Не оставляла его и удача. Одним из самых счастливых в своей жизни Алферов признает 1972 г. Он получил ленинскую премию, а когда попытался дозвониться жене, чтобы сообщить об этом, трубку никто не взял. Позвонив родителям, ученый узнал, что премии премиями, но тем временем у него родился сын.

С 1987 г. Алферов руководил институтом Иоффе, в 89-м вошел в президиум ЛНЦ АН СССР, следующей ступенью стала Академия наук. Когда сменилась власть, а вместе с ней наименование учреждений, Алферов сохранил свои посты - на все он был избран вновь при абсолютном согласии большинства. В начале 90-х он сконцентрировался на наноструктурах: квантовых точках, проволочках, затем воплотил в реальность идею гетеролазера. Такой впервые был продемонстрирован публике в 95-м. Еще спустя пять лет ученый получил Нобелевскую премию.

Новые дни и новые технологии

О том, где сейчас Жорес Алферов трудится и живет, знают многие: этот Нобелевский лауреат в области физики - единственный проживающий на территории России. Он руководит «Сколково» и занимается рядом значимых проектов в области физики, поддерживает талантливую, перспективную молодежь. Именно он первый начал говорить о том, что информационные системы наших дней обязаны быть быстрыми, позволяющими передавать объемные сведения за короткие сроки, и одновременно небольшими, мобильными. Во многом возможность конструирования подобной техники обусловлена именно открытиями Алферова. Его работы и труды Кремера стали базой микроэлектроники, оптоволоконных компонентов, используемых при конструировании гетероструктур. Они, в свою очередь, являются фундаментом создания светоизлучающих диодов повышенного уровня эффективности. Их применяют при изготовлении дисплеев, ламп, используют при конструировании светофоров и осветительных систем. Батареи, создание для улавливания и преобразования солнечной энергии, в последние годы становятся все более эффективными в аспекте трансформации энергии в электричество.

2003 г. был для Алферова последним годом руководства ФТИ: мужчина достиг предельного разрешенного правилами учреждения возраста. Еще три года за ним сохранялось место научного руководителя, он же председательствовал в организованном при институте совете ученых.

Одним из важных достижений Алферова признается Академический университет, появившийся по его инициативе. В наши дни это учреждение сформировано тремя элементами: нанотехнологическим, общеобразовательным центром и девятью кафедрами высшего образования. В школу принимают с восьмого класса и только особенно одаренных детей. Алферов возглавляет университет, занимает пост ректора с первых дней существования учреждения.