(англ. Scanning Electron Microscope, SEM) — это прибор, позволяющий получать изображения поверхности образца с большим разрешением (менее микрометра). Изображения, полученные с помощью растрового электронного микроскопа, являются трехмерными и удобными для изучения структуры сканированной поверхности. Ряд дополнительных методов (EDX, WDX- методы), позволяет получать информацию о химическом составе приповерхностных слоев.

Принцип работы

Исследуемый образец в условиях промышленного вакуума сканируется сфокусированным электронным пучком средних энергий. В зависимости от механизма регистрации сигнала различают несколько режимов работы сканирующего электронного микроскопа: режим отраженных электронов, режим вторичных электронов, режим катодолюминесценции и т. Д. Разработанные методики позволяют исследовать не только свойства поверхности образца, но также визуализировать и получать информацию о свойствах подповерхностных структур, расположены на глубине несколько микрон от сканированной поверхности.

Режимы работы

Детектирования вторичных электронов

Излучением формирующее картинку поверхности образца в большинстве моделей приборов является именно вторичные электроны, которые попадают в детектора типа Эверхарт-Торнли, где и формируется первичное изображение, которое после программно-процессорной обработки попадает на экран монитора. Как и в трансмиссионных электронных микроскопах для фотографирования, ранее, использовали пленку. Фотокамерой снимали изображения в черно-белом экране электронно-лучевой трубки высокой четкости. Сейчас, сформированная картинка просто отображается в интерфейсном окне управляющей микроскопом компьютерной программы и после фокусировки оператором может быть сохранена на жесткий диск компьютера. Изображение, формируемое с помощью сканирующих микроскопов отличается высокой контрастностью и глубиной фокуса. В некоторых моделях современных приборов, благодаря применению технологии multibeam и использования специального программного обеспечения, можно получить 3D изображение поверхности исследуемого объекта. Например, такие микроскопы производит японская фирма JEOL.

разрешение

Пространственное разрешение сканирующего электронного микроскопа зависит от поперечного размера электронного пучка, который в свою очередь зависит от характеристик электронно-оптической системы, фокусирует пучок. Разрешение также ограничена размером области взаимодействия электронного зонда с образцом, то есть от материала мишени. Размер электронного зонда и размер области взаимодействия зонда с образцом гораздо большие расстояния между атомами мишени, таким образом, разрешение сканирующего электронного микроскопа не достаточно большой, чтобы отображать атомарные масштабы, как это возможно, например, в электронном микроскопе, работающий по принципу просвечивание. Однако, сканирующий электронный микроскоп имеет свои преимущества, включая способность визуализировать сравнительно большую область образца, способность исследовать массивные мишени (а не только тонкие пленки), а также разнообразие аналитических методов, позволяющих исследовать фундаментальные характеристики материала мишени. В зависимости от конкретного прибора и параметров эксперимента, можно достичь значения разрешения от десятков до единиц нанометров.

Применение

Сканирующие микроскопы применяются в первую очередь как исследовательский инструмент в физике, материаловедении, электронике, биологии. В основном для получения изображения исследуемого образца, которое может сильно изменяться в зависимости от типа детектора, который используется. Эти различия полученных изображений позволяют делать выводы о физических свойствах поверхности, проводить исследования рельефа поверхности. Электронный микроскоп практически единственный прибор, который может дать изображение поверхности современной микросхемы или промежуточной стадии процесса фотолитографии.

Основы сканирующей зондовой микроскопии. (4,8 Мбайт)

1. Введение.

1. Принципы сканирующей зондовой микроскопии (СЗМ).
2. Конструктивные особенности и режимы работы зондовых микроскопов.
3. Комбинации различных типов микроскопов в одном приборе.

2. Сканирующая туннельная микроскопия.

1. Конструкции сканирующих туннельных микроскопов (СТМ).
2. Системы сближения иглы и образца.
3. Сканирующие элементы.
4. Способы изготовления СТМ зондов.

3. Режимы работы СТМ.

1. Получение изображений поверхности в режимах постоянного туннельного тока и постоянной средней высоты.
2. Получение информации о распределении локальной работы выхода электронов вдоль поверхности.

4. Система автоматизации СТМ.

1. Система сбора и обработки информации.
2. Характерные искажения СТМ изображений и методы их устранений.
3. Спектральный и корреляционный анализ изображения поверхности.

5. Туннельная спектроскопия.

1. Вольт-амперные характеристики туннельных контактов.
2. Зависимость туннельного тока от расстояния зонд-образец .
3. Резонансные эффекты в СТМ.
4. Низкотемпературный СТМ. Спектроскопия сверхпроводников.

6. Атомно-силовая микроскопия.

1. Принципы работы и конструкции атомно-силовых микроскопов (АСМ).
2. Силы, действующие на зонд АСМ (Ван-дер-Ваальса, капиллярные, электростатические).
3. Режимы работы АСМ. Методы регистрации сигнала пропорционального рельефу поверхности.
4. Электросиловая микроскопия.

7. Магнитно-силовая микроскопия.

1. Принципы работы и конструкции магнитно-силовых микроскопов (МСМ).
2. Взаимодействие зонда с магнитными полями образца.
3. Особенности формирования МСМ контраста от различных структур.
4. Регистрация магнитострикционного отклика поверхности.

8. Ближнепольная оптическая микроскопия.

1. Прохождение света через отверстия с размерами меньшими длины волны.
2. Принципы работы ближнепольных оптических микроскопов (СБОМ).
3. Режимы работы СБОМ: коллекторная мода, излучательная мода на отражение и на прохождение.
4. Эванесцентные волны.
5. Типы ближнепольных оптических зондов и методы их изготовления.
6. Ближнепольная спектроскопия полупроводниковых структур. Исследование фотолюминесценции квантовых точек, нитей и ям с высоким пространственным разрешением.

9. Пространственное разрешение зондовых микроскопов.

1. Связь разрешения СЗМ с размером зонда и расстоянием между зондом и образцом.
2. Искажения, вносимые зондом в изображение рельефа и свойств поверхности. Методы восстановления истинного рельефа поверхности.

10. Модификация свойств поверхности с помощью СТМ/АСМ/МСМ.

1. Механические воздействия зонда на поверхность.
2. Тепловое воздействие электрического тока через контакт зонд-поверхность .
3. Термохимические процессы на поверхности, стимулированные протеканием тока через контакт.
4. Магнитное воздействие зонда на поверхность магнитных образцов.
5. Создание поверхностных структур нанометрового масштаба.
6. Сверхплотная запись информации методом МСМ.

11. Модификация свойств поверхности с помощью СБОМ.

1. Инициирование фотохимических, термохимических реакций и процессов диффузии под действием оптического излучения.
2. Ближнепольная фотолитография. Физические и технологические ограничения метода.
3. Сверхплотная запись информации методом СБОМ. Реверсивная и нереверсивная запись.

1. В.Л.Миронов — Основы сканирующей зондовой микроскопии . М.: Техносфера, 2004, 143 стр.
2. Сканирующая зондовая микроскопия биополимеров. Под ред. И. Г. Яминского, М.: Научный мир, 1997, 88 стр.
3. В.К.Неволин — Основы туннельно-зондовой нанотехнологии . М.: МГИЭТ (ТУ), 1996, 91 стр.
4. В.С.Эдельман — Сканирующая туннельная микроскопия (обзор). // Приборы и техника эксперимента, 1989, № 5, стр. 25 — 49.

Дополнительная литература

1. В.И.Панов — Сканирующая туннельная микроскопия и спектроскопия поверхности . // УФН, 1988, т.155, № 1, стр. 155 — 158.
2. В.А.Быков, М. И. Лазарев, С. А. Саунин — Сканирующая зондовая микроскопия для науки и промышленности . // «Электроника: наука, технология, бизнес”., 1997, № 5, стр. 7 — 14.
3. А.П.Володин — Новое в сканирующей микроскопии . // Приборы и техника эксперимента, 1998, № 6, стр. 3 — 42.

Вопросы для контроля

1. Сканирующие элементы зондовых микроскопов. Конструкции, принципы работы и основные характеристики.
2. Системы прецизионного сближения зонда и образца в зондовых микроскопах.
3. Виброзащита и термостабилизация зондовых микроскопов.
4. Методы изготовления зондов для туннельного и атомно-силового микроскопов.
5. Принципы работы сканирующего туннельного микроскопа. Основные режимы получения СТМ изображений рельефа поверхности.
6. Принципы регистрации распределения локальной работы выхода электронов с помощью туннельного микроскопа.
7. Организация системы обратной связи сканирующего туннельного микроскопа.
8. Туннельная спектроскопия. Методы снятия вольт-амперных характеристик туннельного контакта СТМ. Основные типы ВАХ контактов металл-металл , металл-полупроводник , металл-сверхпроводник .
9. Принципы работы атомно-силового микроскопа. Основные режимы получения АСМ изображений рельефа поверхности.
10. Колебательные методики атомно-силовой микроскопии.
11. Организация системы обратной связи атомно-силового микроскопа.
12. Силовая спектроскопия свойств поверхности с помощью атомно-силового микроскопа.
13. Принципы работы электросилового микроскопа. Режимы измерения распределения потенциала вдоль поверхности, локальной емкости контакта зонд-поверхность .
14. Принципы работы магнитно-силового микроскопа. Магнитное взаимодействие зонда МСМ и образца. Методы получения МСМ контраста. Интерпретация МСМ контраста простейших распределений намагниченности образцов.
15. Принципы работы ближнепольного оптического микроскопа. Shear-force контроль расстояния зонд-поверхность . Основные конфигурации БОМ.
16. Модификация свойств поверхности с помощью СТМ/АСМ/МСМ/БОМ.

Первыми устройствами, с помощью которых стало возможным наблюдать за нанообъектами и передвигать их, стали сканирующие зондовые микроскопы - атомно-силовой микроскоп и работающий по аналогичному принципу сканирующий туннельный микроскоп. Атомно-силовая микроскопия (АСМ) была разработана Г. Биннигом и Г. Рорером, которым за эти исследования в 1986 была присуждена Нобелевская премия. Создание атомно-силового микроскопа, способного чувствовать силы притяжения и отталкивания, возникающие между отдельными атомами, дало возможность, наконец, «пощупать и увидеть» нанообъекты.

Рисунок 9. Принцип работы сканирующего зондового микроскопа (взято из http://www.nanometer.ru/2007/06/06/atomno_silovaa_mikroskopia_2609.html#). Пунктиром показан ход луча лазера. Остальные объяснения в тексте.

Основой АСМ (см. рис. 9) служит зонд, обычно сделанный из кремния и представляющий собой тонкую пластинку-консоль (ее называют кантилевером, от английского слова "cantilever" - консоль, балка). На конце кантилевера (длина » 500 мкм, ширина » 50 мкм, толщина » 1 мкм) расположен очень острый шип (длина » 10 мкм, радиус закругления от 1 до 10 нм), оканчивающийся группой из одного или нескольких атомов (см. рис.10).

Рисунок 10. Электронные микрофото одного и того же зонда, сделанные с малым (верх) и большим увеличением.

При перемещении микрозонда вдоль поверхности образца острие шипа приподнимается и опускается, очерчивая микрорельеф поверхности, подобно тому, как скользит по грампластинке патефонная игла. На выступающем конце кантилевера (над шипом, см. рис. 9) расположена зеркальная площадка, на которую падает и от которой отражается луч лазера. Когда шип опускается и поднимается на неровностях поверхности, отраженный луч отклоняется, и это отклонение регистрируется фотодетектором, а сила, с которой шип притягивается к близлежащим атомам – пьезодатчиком.

Данные фотодетектора и пьезодатчика используются в системе обратной связи, которая может обеспечивать, например, постоянную величину силу взаимодействия между микрозондом и поверхностью образца. В результате, можно строить объёмный рельеф поверхности образца в режиме реального времени. Разрешающая способность АСМ метода составляет примерно 0,1-1 нм по горизонтали и 0,01 нм по вертикали. Изображение бактерии кишечной палочки, полученное с помощью сканирующего зондового микроскопа, показано на рис. 11.

Рисунок 11. Бактерия кишечной палочки (Escherichia coli ). Изображение получено с помощью сканирующего зондового микроскопа. Длина бактерии – 1,9 мкм, ширина – 1 мкм. Толщина жгутиков и ресничек – 30 нм и 20 нм, соответственно.

Другая группа сканирующих зондовых микроскопов для построения рельефа поверхности использует так называемый квантово-механический «туннельный эффект». Суть туннельного эффекта состоит в том, что электрический ток между острой металлической иглой и поверхностью, расположенной на расстоянии около 1 нм, начинает зависеть от этого расстояния – чем меньше расстояние, тем больше ток. Если между иглой и поверхностью прикладывать напряжение 10 В, то этот «туннельный» ток может составить от 10 рА до 10 нА. Измеряя этот ток и поддерживая его постоянным, можно сохранять постоянным и расстояние между иглой и поверхностью. Это позволяет строить объёмный профиль поверхности (см. рис. 12). В отличие от атомно-силового микроскопа, сканирующий туннельный микроскоп может изучать только поверхности металлов или полупроводников.

Рисунок 12. Игла сканирующего туннельного микроскопа, находящаяся на постоянном расстоянии (см. стрелки) над слоями атомов исследуемой поверхности.

Сканирующий туннельный микроскоп можно использовать и для перемещения какого-либо атома в точку, выбранную оператором. Например, если напряжение между иглой микроскопа и поверхностью образца сделать в несколько больше, чем надо для изучения этой поверхности, то ближайший к ней атом образца превращается в ион и "перескакивает" на иглу. После этого слегка переместив иглу и изменив напряжение, можно заставить сбежавший атом "спрыгнуть" обратно на поверхность образца. Таким образом, можно манипулировать атомами и создавать наноструктуры, т.е. структуры на поверхности, имеющие размеры порядка нанометра. Ещё в 1990 году сотрудники IBM показали, что это возможно, сложив из 35 атомов ксенона название своей компании на пластинке из никеля (см. рис. 13).

Рисунок 13. Сложенное из 35 атомов ксенона на пластинке из никеля название компании IBM, сделанное сотрудниками этой компании с помощью сканирующей зондового микроскопа в 1990 году.

С помощью зондового микроскопа можно не только двигать атомы, но и создавать предпосылки для их самоорганизации. Например, если на металлической пластине находится капля воды, содержащая ионы тиолов, то зонд микроскопа будет способствовать такой ориентации этих молекул, при которой их два углеводородных хвоста будут обращены от пластины. В результате, можно выстроить монослой тиольных молекул, прилипших к металлической пластине (см. рис. 14). Этот способ создания монослоя молекул на поверхности металла называют «перьевой нанолитографией».

Рисунок 14. Слева вверху – кантилевер (серо-стальной) сканирующего зондового микроскопа над металлической пластинкой. Справа – увеличенное изображение области (обведена белым на рисунке слева) под зондом кантилевера, на которой схематически показаны молекулы тиола с фиолетовыми углеводородными хвостами, выстраивающимися в монослой у кончика зонда. Взято из Scientific American, 2001, Sept, p. 44.

Сканирующие зондовые микроскопы Общей чертой всех сканирующих зондовых микроскопов является способ получения информации о свойствах исследуемой поверхности. Микроскопический зонд сближается с поверхностью до установления между зондом и образцом баланса взаимодействий определенной природы, после чего осуществляется сканирование.

СВЕРХВЫСОКОВАКУУМНЫЙ СКАНИРУЮЩИЙ ТУННЕЛЬНЫЙ МИКРОСКОП GPI SРM сверхвысоковакуумный сканирующий туннельный микроскоп. Области применения: химические и фотохимические реакции, катализ, напыление, полупроводниковые технологии, адсорбция, модификация поверхности ионами, электронами и другими частицами, нанотехнология, атомные манипуляции.

Атомно-силовой микроскоп Важнейшей составляющей AСM (Атомно-силового микроскопа) являются сканирующие зонды – кантилеверы, свойства микроскопа напрямую зависят от свойств кантилевера. Изображение кантилевера NCS16 полученное в лаборатории МГУ физического факультета. Частота собственных колебаний зонда

Атомно-силовой электронный микроскоп (АСМ) В нем регистрируют изменения силы притяжения иглы к поверхности от точки к точке. Деформацию кантилевера регистрируют по отклонению лазерного луча, падающего на его тыльную поверхность, или с помощью пьезорезистивного эффекта, возникающего в самом кантилевере при изгибе;

Сканирующая ближнепольная оптическая микроскопия (СБОМ) Картина дифракции, возникающая при фокусировании света объективом обычного оптического микроскопа. Изображение получено с помощью СБОМ (Интегра Солярис, НТ-МДТ), распределение интенсивности оптического сигнала кодировано псевдоцветом (шкала показана справа).

Сканирующий зондовый микроскоп

Наиболее молодое и вместе с тем перспективное направление в исследовании свойств поверхности – сканирующая зондовая микроскопия. Зондовые микроскопы имеют рекордное разрешение – менее 0,1 нм. Они могут измерить взаимодействие между поверхностью и сканирующим ее микроскопическим острием – зондом – и выводят трехмерное изображение на экран компьютера.

Методы зондовой микроскопии позволяют не только видеть атомы и молекулы, но и воздействовать на них. При этом – что особенно важно – объекты могут изучаться не обязательно в вакууме (что обычно для электронных микроскопов), но и в различных газах и жидкостях.

Изобрели зондовый – сканирующий туннельный микроскоп в 1981 году сотрудники Исследовательского центра фирмы ИБМ Г. Биннинг и Х. Рорер (США). Через пять лет за это изобретение они были удостоены Нобелевской премии.

Биннинг и Рорер попытались сконструировать прибор для исследования участков поверхности размером менее 10 нм. Итог превзошел самые смелые ожидания: ученым удалось увидеть отдельные атомы, размер которых в поперечнике составляет лишь около одного нанометра. В основе работы сканирующего туннельного микроскопа лежит квантово-механическое явление, называемое туннельным эффектом. Очень тонкое металлическое острие – отрицательно заряженный зонд – подводится на близкое расстояние к образцу, тоже металлическому, заряженному положительно. В тот момент, когда расстояние между ними достигнет нескольких межатомных расстояний, электроны начнут свободно проходить через него – «туннелировать»: через зазор потечет ток.

Очень важное значение для работы микроскопа имеет резкая зависимость силы туннельного тока от расстояния между острием и поверхностью образца. При уменьшении зазора всего на 0,1 нм ток возрастет примерно в 10 раз. Поэтому даже неровности размером с атом вызывают заметные колебания величины тока.

Чтобы получить изображение, зонд сканирует поверхность, а электронная система считывает величину тока. В зависимости от того, как эта величина меняется, острие либо опускается или поднимается. Таким образом, система поддерживает величину тока постоянной, а траектория движения острия повторяет рельеф поверхности, огибая возвышенности и углубления.

Острие перемещает пьезосканер, который представляет собой манипулятор из материала, способного изменяться под действием электрического напряжения. Пьезосканер чаще всего имеет форму трубки с несколькими электродами, которая удлиняется или изгибается, перемещая зонд по разным направлениям с точностью до тысячных долей нанометра.

Информация о движении острия преобразуется в изображение поверхности, которое строится по точкам на экране. Участки разной высоты для наглядности окрашиваются в различные цвета.

В идеале на конце острия зонда должен находиться один неподвижный атом. Если же на конце иглы случайно оказалось несколько выступов, изображение может двоиться, троиться. Для устранения дефекта иглу травят в кислоте, придавая ей нужную форму.

С помощью туннельного микроскопа удалось сделать ряд открытий. Например, обнаружили, что атомы на поверхности кристалла расположены не так, как внутри, и часто образуют сложные структуры.

С помощью туннельного микроскопа можно изучать лишь проводящие ток объекты. Однако он позволяет наблюдать и тонкие диэлектрики в виде пленки, когда их помещают на поверхность проводящего материала. И хотя этот эффект еще не нашел полного объяснения, тем не менее его с успехом применяют для изучения многих органических пленок и биологических объектов – белков, вирусов.

Возможности микроскопа велики. С помощью иглы микроскопа даже наносят рисунки на металлические пластины. Для этого используют в качестве «пишущего» материала отдельные атомы – их осаждают на поверхность или удаляют с нее. Таким образом в 1991 году сотрудники фирмы ИБМ написали атомами ксенона на поверхности никелевой пластины название своей фирмы – IBM. Букву «I» составили всего 9 атомов, а буквы «B» и «M» – 13 атомов каждую.

Следующим шаг в развитии сканирующей зондовой микроскопии сделали в 1986 году Биннинг, Квейт и Гербер. Они создали атомно-силовой микроскоп. Если в туннельном микроскопе решающую роль играет резкая зависимость туннельного тока от расстояния между зондом и образцом, то для атомно-силового микроскопа решающее значение имеет зависимость силы взаимодействия тел от расстояния между ними.

Зондом атомно-силового микроскопа служит миниатюрная упругая пластина – кантилевер. Причем один ее конец закреплен, на другом же конце сформировано зондирующее острие из твердого материала – кремния или нитрида кремния. При перемещении зонда силы взаимодействия между его атомами и неровной поверхностью образца будут изгибать пластину. Добившись такого перемещения зонда, когда прогиб остается постоянным, можно получить изображение профиля поверхности. Такой режим работы микроскопа, называющийся контактным, позволяет измерять с разрешением в доли нанометра не только рельеф, но и силу трения, упругость и вязкость исследуемого объекта.

Сканирование в контакте с образцом довольно часто приводит к его деформации и разрушению. Воздействие зонда на поверхность может быть полезным, например, при изготовлении микросхем. Однако зонд способен легко порвать тонкую полимерную пленку или повредить бактерию, вызвав ее гибель. Чтобы избежать этого, кантилевер приводят в резонансные колебания вблизи поверхности и регистрируют изменение амплитуды, частоты или фазы колебаний, вызванных взаимодействием с поверхностью. Такой метод позволяет изучать живые микробы: колеблющаяся игла действует на бактерию, как легкий массаж, не причиняя вреда и позволяя наблюдать за ее движением, ростом и делением.

В 1987 году И. Мартин и К. Викрама-сингх (США) предложили в качестве зондирующего острия использовать намагниченную микроиглу. В результате появился магнитно-силовой микроскоп.

Такой микроскоп позволяет разглядеть отдельные магнитные области в материале – домены – размером до 10 нм. Его также применяют и для сверхплотной записи информации, формируя на поверхности пленки домены с помощью полей иглы и постоянного магнита. Подобная запись в сотни раз плотнее, чем на современных магнитных и оптических дисках.

На мировом рынке микромеханики, где заправляют такие гиганты, как ИБМ, «Хитачи», «Жиллетт», «Поляроид», «Олимпус», «Джойл», «Диджитал инструментс», нашлось место и для России. Все громче слышен голос маленькой фирмы МДТ из подмосковного Зеленограда.

«Давайте скопируем на пластину, в 10 раз меньшую человеческого волоса, наскальный рисунок, выполненный нашими далекими предками, – предлагает главный технолог Денис Шабратов. – Компьютер управляет "кистью", зондом – иглой длиной 15 микрон, диаметром в сотые доли микрона. Игла движется вдоль "полотна", и там, где его касается, появляется мазок размером с атом. Постепенно на экране дисплея возникает олень, за которым гонятся всадники».

МДТ единственная в стране фирма-изготовитель зондовых микроскопов и самих зондов. Она входит в четверку мировых лидеров. Изделия фирмы покупают в США, Японии, Европе.

А все началось с того, что Денис Шабратов и Аркадий Гологанов, молодые инженеры одного из оказавшихся в кризисе институтов Зеленограда, думая, как жить дальше, выбрали микромеханику. Они не без основания посчитали ее наиболее перспективным направлением.

«Мы не комплексовали, что придется соперничать с сильными конкурентами, – вспоминает Гологанов. – Конечно, наше оборудование уступает импортному, но, с другой стороны, это заставляет исхитряться, шевелить мозгами. А уж они-то у нас точно не хуже. И готовности пахать хоть отбавляй. Работали сутками, без выходных. Самым трудным оказалось даже не изготовить суперминиатюрный зонд, а продать. Знаем, что наш лучший в мире, кричим о нем по Интернету, засыпаем клиентов факсами, словом, бьем ножками, как та лягушка, – ноль внимания».

Узнав, что один из лидеров по производству микроскопов – японская фирм «Джойл» ищет иглы очень сложной формы, они поняли, что это их шанс. Заказ стоил много сил и нервов, а получили гроши. Но деньги не были главным – теперь они могли во весь голос объявить: знаменитый «Джойл» – наш заказчик. Подобным образом почти полтора года МДТ бесплатно изготавливала специальные зонды для Национального института стандартов и технологий США. И новое громкое имя появилось в списке клиентов.

«Сейчас поток заказов таков, что мы уже не можем удовлетворить всех желающих, – говорит Шабратов. – Увы, это специфика России. Опыт показал, у нас имеет смысл выпускать столь наукоемкую продукцию малыми сериями, массовое же производство – налаживать за рубежом, где нет срывов поставок, низкого их качества, необязательности смежников».

Возникновение сканирующей зондовой микроскопии удачно совпало с началом бурного развития компьютерной техники, открывающей новые возможности использования зондовых микроскопов. В 1998 году в Центре перспективных технологий (Москва) создана модель сканирующего зондового микроскопа «ФемтоСкан-001», которым управляют также через Интернет. Теперь в любой точке земного шара исследователь сможет работать на микроскопе, а каждый желающий – «заглянуть» в микромир, не отходя от компьютера.

Сегодня подобные микроскопы используются только в научных исследованиях. С их помощью совершаются наиболее сенсационные открытия в генетике и медицине, создаются материалы с удивительными свойствами. Однако уже в ближайшее время ожидается прорыв, и прежде всего, в медицине и микроэлектронике. Появятся микророботы, доставляющие по сосудам лекарства непосредственно к больным органам, будут созданы миниатюрные суперкомпьютеры.